产品描述：

具备支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切换速度更快等特性。硅基VOA阵列器件内部为全固态芯片，具有百纳秒级的响应速度，八通道单片集成，功耗低，满足光传输、光传感系统对光衰减器高速响应、小型化、高可靠的需求。其响应速度比传统VOA提升4个数量级，达到100ns级，使WDM光网络中光功率快速控制成为可能。此外，其超低的光损耗可满足民用光网络应用要求，的集成度有助于大幅度减小模块尺寸，纯固态波导芯片使其具备的可靠性。

关键特征：

100ns级高速响应、多至48通道单片集成、全固态波导芯片、超低光损耗。

典型应用：

通道间光功率均衡或阻塞、WDM网络光功率控制、1×1光开关、模拟信号调制（静态稳定、无需工作点反馈控制回路）。

主要指标（典型值）：

性能指标

单位

吸收型

备注

工作波长

nm

1525～1565

响应时间

ns

100-300

插入损耗

dB

1.2

光纤进到光纤出的损耗

衰减范围

dB

25

偏振相关性

dB

≤0.3

@0dB衰减时

≤0.5

@0~25d衰减时

功耗(@18dB衰减)

mW

150

随衰减量增大而增大

电压

V

1.2

电流

mA

0-35

集成度